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中科院开发成功超临界二氧化碳无损伤清洗设备

发布时间:2017-05-31 22:50:10 分类:行业新闻 来源: 点击:次

中科院开发成功超临界二氧化碳无损伤清洗设备 中科院开发成功超临界二氧化碳无损伤清洗设备 日前,微电子所集成电路先导工艺中心(10室)景玉鹏研究员课题组成功自主研发超临界2氧化碳无损伤清洗装备。利用此装备对硅片进行清洗,清洗后颗粒明显减少,且平均粒径小于传统清洗的粒径。相对用等离子法清洗,该方法不会对硅片造成损伤,同时可减少工艺步骤,节省时间,提高工作效力。 超临界2氧化碳无损伤清洗装备具有良好的温度和压力控制系统,并配有远程智能化操作系统,是1个合适高校和科研机构的半导体工艺平台。该装备有望解决微电子行业清洗工艺中的许多困难,例如刻蚀和灰化后高纵深比结构清洗、刻蚀和灰化后多孔低介电材料清洗、清洗后干燥、半导体器件金属颗粒的清洗等。 另外,利用超临界2氧化碳还可进行低温气胶清洗、硅衬底高选择比深入蚀、对硅片任意角度打孔与切割、喷雾涂胶、应力可调HPCVD成膜、MEMS牺牲层干法释放等多种半导体工艺

日前,微电子所集成电路先导工艺中心(10室)景玉鹏研究员课题组成功自主攻丝扭矩实验机研发超临界2氧化碳无损伤清洗装备。灯串缠绕实验机利用此装备对硅片进行清洗,清洗后颗粒明显减少,且平弹性静刚度实验机均粒径小于传统清洗的粒径。相对用等离子法清洗,该方法不会对硅片造成损伤,同时可减少工艺步骤,节省时间,提高工作效力。

超临硅胶管爆破实验机界2氧化碳无损伤清洗装备具有良好的温度和压力控制系统,并配有远we60MIT耐折实验机0b万能材料实验机程智能化操作系统,是1个合适高校和科研机构的半导体工艺平台。该装备有望解决微电子行业清洗工艺电子土工布强力实验机中的许多困难,例如刻蚀和灰化后高纵深比结构清洗、刻蚀和灰化后多孔低介电材料清洗、清混凝土压力实验机洗后干燥、半双柱拉力实验机导体器件金属颗全自动低温冻融实验机粒的清洗等。

另外,利用超临界2氧数显弹簧拉力实验机化碳还可进行低温气胶清洗、硅衬底高选择比深安全网耐冲击贯穿实验机刻蚀、对硅片任意角度打孔与切割、喷雾涂胶、应力可调HPCVD成膜、MEMS牺牲电线摇摆实验机层干法释放等多水压爆破实验机种半导体工艺。超临界2氧化碳无损伤清洗装备手动万能材料实验机可通过控制腔室中的压力和温度,使半导体成膜技术摆脱CV双轴实验机D等传统工艺难以控制膜光纤改变实验机厚和应力的窘境。同陶瓷抗折实验机时,其2氧化碳缓冲3氟化氯的刻蚀技术,也代表了无等离子工艺midwest实验机的前沿皮鞋燃烧实验机技术。

目前,国内其他科研机构对超临界保质期实验机2氧化碳无损伤清洗技术的研究均未构成产业化的成型装备。技术水平领先的日本和美国目前只开发出了实验用样品机,台积电等台湾半导体公司对此的研究也正处在开发阶段。依照国际半导体蓝图(ITRS)的预测,2010年之前该项技术都处于评估阶段,到2钢瓶爆破实验机010扣件脚手架实验机年以后,该项技术才会实行。因此,微电子所现已自主研发成功的超临界2氧静力触探实验机化碳无损100吨万能材料实验机伤清洗设wbw10万能实验机备不但电子紧缩实验机符合ITRS的发展趋势,更具有很大的利用空间,特别在高立式钢筋曲折实验机校和科研机构中具有广阔的市场前景。

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